SI3586DV-T1-E3

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SI3586DV-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.047 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 830 mW

阈值电压 1.1 V

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 2.90 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 6

封装 TSOP

外形尺寸

封装 TSOP

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI3586DV-T1-E3
型号: SI3586DV-T1-E3
描述:N和P通道20 - V(D -S)的MOSFET N- and P-Channel 20-V D-S MOSFET

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