SIZ914DT-T1-GE3

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SIZ914DT-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 3900@Channel 1|5200@Channel 2mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPAIR-6x5-8

外形尺寸

宽度 5 mm

高度 0.7 mm

封装 PowerPAIR-6x5-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIZ914DT-T1-GE3
型号: SIZ914DT-T1-GE3
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 16A/40A 8Pin PowerPAIR EP

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