SIZ918DT-T1-GE3

SIZ918DT-T1-GE3图片1
SIZ918DT-T1-GE3图片2
SIZ918DT-T1-GE3图片3
SIZ918DT-T1-GE3图片4
SIZ918DT-T1-GE3图片5
SIZ918DT-T1-GE3图片6
SIZ918DT-T1-GE3图片7
SIZ918DT-T1-GE3概述

VISHAY  SIZ918DT-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 28 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1.2 V

The is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for notebook system power, POL and synchronous buck converter applications.

.
Halogen-free
.
TrenchFET® power MOSFET
.
100% Rg and UIS tested

欧时:
### 双 N 通道 MOSFET PowerPAIR®,Vishay Semiconductor与两个分立件相比,高侧和低侧 MOSFET 位于一个紧凑型封装内,同时仍可获得低接通电阻和高电流。### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 14.3A/26A 8-Pin PowerPAIR EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 14.3A/26A 8-Pin PowerPAIR T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 14.3A/26A 8-Pin PowerPAIR EP T/R


Newark:
# VISHAY  SIZ918DT-T1-GE3  Dual MOSFET, Dual N Channel, 28 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1.2 V


SIZ918DT-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 10

漏源极电阻 0.01 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 100 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 29 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 10

封装 PowerPAIR

外形尺寸

长度 5.1 mm

宽度 6.1 mm

高度 0.8 mm

封装 PowerPAIR

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIZ918DT-T1-GE3
型号: SIZ918DT-T1-GE3
描述:VISHAY  SIZ918DT-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 28 A, 30 V, 0.01 ohm, 10 V, 1.2 V

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台