ROHM SP8M3FU6TB 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.5 A, 30 V, 0.036 ohm, 10 V, 2.5 V
MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 5A,4.5A 2W 表面贴装型 8-SOP
得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC
贸泽:
MOSFET SWITCHING Nch/Pch 4V
e络盟:
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.5 A, 30 V, 0.036 ohm, 10 V, 2.5 V
安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-Pin SOP T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-Pin SOP T/R
Newark:
# ROHM SP8M3FU6TB Dual MOSFET, N and P Channel, 5 A, 30 V, 0.036 ohm, 10 V, 2.5 V
Win Source:
MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC
针脚数 8
漏源极电阻 0.036 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
输入电容Ciss 230pF @10VVds
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOP-8
长度 5 mm
宽度 4.4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOP-8
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Cut Tape CT
制造应用 Power Management, Industrial, 工业, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SP8M3FU6TB ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
SP8M3TB 罗姆半导体 | 完全替代 | SP8M3FU6TB和SP8M3TB的区别 |
SP8M3 罗姆半导体 | 功能相似 | SP8M3FU6TB和SP8M3的区别 |