SIZ710DT-T1-GE3

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SIZ710DT-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0055 Ω

极性 N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 48 W

阈值电压 2.2 V

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 15 ns

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIZ710DT-T1-GE3
型号: SIZ710DT-T1-GE3
描述:N沟道20 V (D -S )的MOSFET N-Channel 20 V D-S MOSFETs

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