MOSFET P-CH DUAL 30V 7A 8SOIC
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 30V 7A 2W 表面贴装型 8-SOP
得捷: MOSFET 2P-CH 30V 7A 8SOIC
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 1200pF @10VVds
额定功率Max 2 W
安装方式 Surface Mount
封装 SOIC-8
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
SP8J65TB1
ROHM Semiconductor 罗姆半导体
当前型号
SH8J65TB1
罗姆半导体
完全替代