SH8M41GZETB

SH8M41GZETB图片1
SH8M41GZETB图片2
SH8M41GZETB图片3
SH8M41GZETB图片4
SH8M41GZETB图片5
SH8M41GZETB图片6
SH8M41GZETB图片7
SH8M41GZETB图片8
SH8M41GZETB图片9
SH8M41GZETB图片10
SH8M41GZETB概述

双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.4 A, 80 V, 0.09 ohm, 10 V, 2.5 V

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 80V 3.4A,2.6A 2W 表面贴装型 8-SOP


得捷:
MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8SOP


贸泽:
MOSFET 4V Drive Nch+Pch MOSFET SOP8 Nch+Pch


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, 互补N与P沟道, 80 V, 3.4 A, 0.09 ohm, SOP, 表面安装


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A 8-Pin SOP T/R


SH8M41GZETB中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.09 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 3.4A/2.6A

输入电容Ciss 600pF @10VVds

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOP-8

外形尺寸

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

SH8M41GZETB引脚图与封装图
SH8M41GZETB引脚图
SH8M41GZETB封装图
SH8M41GZETB封装焊盘图
在线购买SH8M41GZETB
型号: SH8M41GZETB
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.4 A, 80 V, 0.09 ohm, 10 V, 2.5 V
替代型号SH8M41GZETB
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SH8M41GZETB

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

SH8M41TB1

罗姆半导体

完全替代

SH8M41GZETB和SH8M41TB1的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台