SI3585DV-T1-GE3

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SI3585DV-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.1 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 750 mW

阈值电压 600 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 1.80 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP

外形尺寸

封装 TSOP

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI3585DV-T1-GE3
型号: SI3585DV-T1-GE3
描述:MOSFET N/P-CH 20V 2A 6-TSOP

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