针脚数 8
漏源极电阻 25 mΩ
极性 Dual N-Channel
耗散功率 1.4 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 9.70 A
工作温度Max 150 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
SI7960DP-T1-E3
Vishay Semiconductor 威世
当前型号
SI7960DP-T1-GE3
威世
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