SI7960DP-T1-E3

SI7960DP-T1-E3图片1
SI7960DP-T1-E3图片2
SI7960DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 25 mΩ

极性 Dual N-Channel

耗散功率 1.4 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 9.70 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7960DP-T1-E3
型号: SI7960DP-T1-E3
描述:VISHAY  SI7960DP-T1-E3  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 60V, SOIC
替代型号SI7960DP-T1-E3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SI7960DP-T1-E3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

SI7960DP-T1-GE3

威世

类似代替

SI7960DP-T1-E3和SI7960DP-T1-GE3的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台