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SP8M3TB概述

Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8Pin SOP T/R

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 5A，4.5A 2W 表面贴装型 8-SOP

得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC

安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-Pin SOP T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8-Pin SOP T/R

Win Source:
MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC

SP8M3TB中文资料参数规格

技术参数

额定电流 5.00 A

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

上升时间 25.0 ns

输入电容Ciss 230pF @10VVds

额定功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SP8M3TB

型号： SP8M3TB

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8Pin SOP T/R

替代型号SP8M3TB

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SP8M3TB ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
SP8M3FU6TB 罗姆半导体	完全替代	SP8M3TB和SP8M3FU6TB的区别
SH8M3TB1 罗姆半导体	完全替代	SP8M3TB和SH8M3TB1的区别
SP8M3 罗姆半导体	功能相似	SP8M3TB和SP8M3的区别