SIA915DJ-T1-GE3

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SIA915DJ-T1-GE3概述

VISHAY  SIA915DJ-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.5 A, -30 V, 0.071 ohm, -10 V, -1 V

* Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition * TrenchFET® Power MOSFET * New Thermally Enhanced PowerPAK® SC-70 Package * Small Footprint Area * Low On-Resistance * Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC


欧时:
### 双 P 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


e络盟:
VISHAY  SIA915DJ-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.5 A, -30 V, 0.071 ohm, -10 V, -1 V


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R


Allied Electronics:
SIA915DJ-T1-GE3 Dual P-channel MOSFET Transistor, 3.7 A, 30 V, 6-Pin SC-70


安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R


SIA915DJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

针脚数 6

漏源极电阻 0.071 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 6.5 W

上升时间 25 ns

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 6.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

长度 2.15 mm

宽度 2.15 mm

高度 0.8 mm

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SIA915DJ-T1-GE3
型号: SIA915DJ-T1-GE3
描述:VISHAY  SIA915DJ-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.5 A, -30 V, 0.071 ohm, -10 V, -1 V

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