SP8M70TB1参数规格_中文资料_数据手册PDF

SP8M70TB1概述

SOP N+P 250V 3A/2.5A

Mosfet Array N and P-Channel 250V 3A, 2.5A 650mW Surface Mount 8-SOP

得捷:
MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC

Win Source:
MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC

SP8M70TB1中文资料参数规格

技术参数

极性 N+P

漏源极电压Vds 250 V

连续漏极电流Ids 3A/2.5A

输入电容Ciss 180pF @25VVds

额定功率Max 650 mW

耗散功率Max 650 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： SP8M70TB1

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：SOP N+P 250V 3A/2.5A