SI5515CDC-T1-E3

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SI5515CDC-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.03 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 2.1 W

阈值电压 800 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 4.00 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 1206

外形尺寸

封装 1206

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI5515CDC-T1-E3
型号: SI5515CDC-T1-E3
描述:N和P沟道20 V(D -S)的MOSFET N- and P-Channel 20 V D-S MOSFET

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