SI4670DY-T1-GE3

SI4670DY-T1-GE3图片1
SI4670DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 25.0 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SO-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI4670DY-T1-GE3
型号: SI4670DY-T1-GE3
描述:双N通道25 -V ( DS ) MOSFET与肖特基二极管 Dual N-Channel 25-V D-S MOSFET with Schottky Diode

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台