VISHAY SI1902CDL-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 1.1 A, 20 V, 0.195 ohm, 4.5 V, 1.5 V
**Features:
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* Halogen-Free According to IEC 61249-2-21 Definition**
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* TrenchFET® Gen IV Power MOSFET**
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* 100% Rg and UIS Tested**
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* Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC**
Applications:
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* Switch Mode Power Supplies**
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* Personal Computers and Servers**
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* Telecom Bricks
* VRMs and POL
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 6-Pin SC-70 T/R
Allied Electronics:
MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 6-Pin SC-70 T/R
富昌:
双 N 沟道 20 V 0.235 Ohm 0.42 W 表面贴装 Mosfet - SC-70-6
Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 1A 6-Pin SC-70 T/R
针脚数 6
漏源极电阻 0.195 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 420 mW
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 62pF @10VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 PowerPAK-SC70-6
宽度 2.05 mm
高度 1 mm
封装 PowerPAK-SC70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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SI1902CDL-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
SI1958DH-T1-E3 威世 | 功能相似 | SI1902CDL-T1-GE3和SI1958DH-T1-E3的区别 |