SI5902BDC-T1-E3

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SI5902BDC-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

极性 Dual N-Channel

漏源极电压Vds 30.0 V

连续漏极电流Ids 4.00 A

封装参数

引脚数 8

封装 ChipFET-8

外形尺寸

长度 3.05 mm

宽度 1.65 mm

高度 1.1 mm

封装 ChipFET-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI5902BDC-T1-E3
型号: SI5902BDC-T1-E3
描述:双N沟道30 V (D -S )的MOSFET Dual N-Channel 30 V D-S MOSFET

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