漏源极电阻 0.0175 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 17.8 W
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 900pF @15VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3600 mW
引脚数 8
封装 SOIC
高度 1.04 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
数据手册
