SIR770DP-T1-GE3

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SIR770DP-T1-GE3概述

双N沟道30 V ( DS ) MOSFET与肖特基二极管 Dual N-Channel 30 V D-S MOSFET with Schottky Diode

* Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition * TrenchFET® Power MOSFET * 100 % Rg and UIS Tested * Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin PowerPAK SO T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin PowerPAK SO T/R


富昌:
SiR770DP 系列 30 V 0.021 Ohm 表面贴装 双 N 沟道 MOSFET - PowerPAK SO-8


SIR770DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0175 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 3.6 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 30 V

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIR770DP-T1-GE3
型号: SIR770DP-T1-GE3
描述:双N沟道30 V ( DS ) MOSFET与肖特基二极管 Dual N-Channel 30 V D-S MOSFET with Schottky Diode

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