SI1926DL-T1-GE3

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SI1926DL-T1-GE3概述

N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

**Features:

* **Halogen-Free Option Available

* Low-Side Switching

* Low On-Resistance: 5 Ω

* Low Threshold: 0.9 V Typ.

* Fast Switching Speed: 35 ns Typ.

* TrenchFET® Power MOSFETs: 1.5 V Rated

* ESD Protected: 2000 V

**Applications:

**

* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays, Memories

* Battery Operated Systems

* Power Supply Converter Circuits

* Load/Power Switching Cell Phones, Pagers


欧时:
### 双 N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


贸泽:
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC70-6


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 6-Pin SC-70 T/R


Allied Electronics:
SI1926DL-T1-GE3 Dual N-channel MOSFET Transistor, 0.37 A, 60 V, 6-Pin SOT-363


富昌:
Dual N-Channel 60 V 1.4 Ω 1.4 nC Surface Mount Power Mosfet - TSSOP-6


SI1926DL-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 510 mW

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 18.5pF @30VVds

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 0.51 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1926DL-T1-GE3
型号: SI1926DL-T1-GE3
描述:N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

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