SI4914BDY-T1-E3

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SI4914BDY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0165 Ω

极性 N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 1.7 W

阈值电压 2.7 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 7.40 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI4914BDY-T1-E3
型号: SI4914BDY-T1-E3
描述:双N通道30 -V ( DS ) MOSFET与肖特基二极管 Dual N-Channel 30-V D-S MOSFET with Schottky Diode

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