SI4932DY-T1-GE3

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SI4932DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 1750pF @15VVds

额定功率Max 3.2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4932DY-T1-GE3
型号: SI4932DY-T1-GE3
描述:30 V N沟道 15 mOhm So-8

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