SI4532ADY-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI4532ADY-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.044 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 1.13 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 3.70 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4532ADY-T1-GE3

型号： SI4532ADY-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：VISHAY SI4532ADY-T1-GE3 场效应管阵列, MOSFET, N/P沟道

替代型号SI4532ADY-T1-GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI4532ADY-T1-GE3 Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
ZXMC3A17DN8TA 美台	功能相似	SI4532ADY-T1-GE3和ZXMC3A17DN8TA的区别
SI4532ADY-T1-E3 威世	功能相似	SI4532ADY-T1-GE3和SI4532ADY-T1-E3的区别
IRF7319PBF 国际整流器	功能相似	SI4532ADY-T1-GE3和IRF7319PBF的区别