SI7938DP-T1-GE3概述
VISHAY SI7938DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 40V, 60A, 整卷
The is a 40V Dual N-channel TrenchFET® Power MOSFET. The N-channel MOSFET for switching applications are now available with die on resistances around 1mR and with the capability to handle 85A.
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- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
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- 100% Rg Tested
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- 100% UIS Tested
SI7938DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0048 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 3.5 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
引脚数 8
封装 PowerPAK SO
外形尺寸
封装 PowerPAK SO
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买SI7938DP-T1-GE3
型号： SI7938DP-T1-GE3
描述：VISHAY SI7938DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, 双N沟道, 40V, 60A, 整卷