SI7872DP-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 30.0 V
漏源极电阻 0.017 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 1.4 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 6.40 A
上升时间 10 ns
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1400 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5.99 mm
高度 1.04 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SI7872DP-T1-E3
型号： SI7872DP-T1-E3
描述：MOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 30V; RDSON 0.017Ω; ID 6.4A; PowerPAK SO-8; PD 1.4W