SIZ700DT-T1-GE3

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SIZ700DT-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.007 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2.8 W

阈值电压 2.2 V

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 1300pF @10VVds

额定功率Max 2.36W, 2.8W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPair-6

外形尺寸

封装 PowerPair-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIZ700DT-T1-GE3
型号: SIZ700DT-T1-GE3
描述:VISHAY  SIZ700DT-T1-GE3  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20V, 16A, POWERPAIR

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