SI4943CDY-T1-E3

SI4943CDY-T1-E3图片1
SI4943CDY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

极性 P-Channel

漏源极电压Vds -20.0 V

连续漏极电流Ids -8.00 A

封装参数

引脚数 8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4943CDY-T1-E3
型号: SI4943CDY-T1-E3
描述:MOSFET 20V 8A 3.1W 19.2mohm @ 10V

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