SI7212DN-T1-E3

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SI7212DN-T1-E3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 6.80 A

上升时间 12 ns

额定功率Max 1.3 W

下降时间 10 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerPAK-1212-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 1.04 mm

封装 PowerPAK-1212-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7212DN-T1-E3
型号: SI7212DN-T1-E3
描述:双N通道30 -V (D -S )的MOSFET Dual N-Channel 30-V D-S MOSFET

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