针脚数 8
漏源极电阻 0.075 Ω
极性 Dual P-Channel
耗散功率 1.3 W
漏源极电压Vds -30.0 V
连续漏极电流Ids 6.40 A
上升时间 12 ns
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1300 mW
引脚数 8
封装 1212
高度 1.04 mm
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
数据手册
SI7923DN-T1-GE3
Vishay Semiconductor 威世
当前型号
SI7923DN-T1-E3
威世
类似代替