SI7923DN-T1-GE3

SI7923DN-T1-GE3图片1
SI7923DN-T1-GE3图片2
SI7923DN-T1-GE3图片3
SI7923DN-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.075 Ω

极性 Dual P-Channel

耗散功率 1.3 W

漏源极电压Vds -30.0 V

连续漏极电流Ids 6.40 A

上升时间 12 ns

下降时间 28 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1300 mW

封装参数

引脚数 8

封装 1212

外形尺寸

高度 1.04 mm

封装 1212

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI7923DN-T1-GE3
型号: SI7923DN-T1-GE3
描述:VISHAY  SI7923DN-T1-GE3  场效应管, MOSFET, 双P沟道, -30V, 6.4A
替代型号SI7923DN-T1-GE3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SI7923DN-T1-GE3

Vishay Semiconductor 威世

当前型号

当前型号

SI7923DN-T1-E3

威世

类似代替

SI7923DN-T1-GE3和SI7923DN-T1-E3的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司