SI7956DP-T1-GE3

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SI7956DP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.088 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 1.4 W

阈值电压 3.1 V

漏源极电压Vds 150 V

上升时间 36 ns

下降时间 50 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1400 mW

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAKSO-8

外形尺寸

宽度 5.15 mm

高度 1.04 mm

封装 PowerPAKSO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7956DP-T1-GE3
型号: SI7956DP-T1-GE3
描述:VISHAY SI7956DP-T1-GE3 Dual MOSFET, Dual N Channel, 2.6A, 150V, 0.088Ω, 10V, 3.1V

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