SQJ960EP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SQJ960EP-T1-GE3概述

VISHAY SQJ960EP-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 60 V, 0.03 ohm, 10 V, 2 V

The is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package.

得捷:
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 5-Pin4+Tab PowerPAK SO EP T/R

SQJ960EP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.03 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 34 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 60 V

工作温度Max 175 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, 车用, Automotive, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： SQJ960EP-T1-GE3

描述：VISHAY SQJ960EP-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 60 V, 0.03 ohm, 10 V, 2 V