SP8M4FU6TB

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SP8M4FU6TB概述

ROHM  SP8M4FU6TB  双路场效应管, MOSFET, 双路低栅极驱动器, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.012 ohm, 10 V, 2.5 V

MOSFET - 阵列 N 和 P 沟道 30V 9A,7A 2W 表面贴装型 8-SOP


得捷:
MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC


e络盟:
ROHM  SP8M4FU6TB  双路场效应管, MOSFET, 双路低栅极驱动器, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.012 ohm, 10 V, 2.5 V


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8-Pin SOP T/R


富昌:
MOSFET Dual N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC


Win Source:
MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC


SP8M4FU6TB中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.012 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 7.00 A

输入电容Ciss 1190pF @10VVds

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOP-8

外形尺寸

封装 SOP-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SP8M4FU6TB
型号: SP8M4FU6TB
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:ROHM  SP8M4FU6TB  双路场效应管, MOSFET, 双路低栅极驱动器, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.012 ohm, 10 V, 2.5 V
替代型号SP8M4FU6TB
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