SI4618DY-T1-GE3

SI4618DY-T1-GE3图片1
SI4618DY-T1-GE3图片2
SI4618DY-T1-GE3图片3
SI4618DY-T1-GE3图片4
SI4618DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.014 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.98 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买SI4618DY-T1-GE3
型号: SI4618DY-T1-GE3
描述:VISHAY  SI4618DY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 30 V, 0.014 ohm, 10 V, 1 V

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台