SI4936BDY-T1-GE3

SI4936BDY-T1-GE3图片1
SI4936BDY-T1-GE3图片2
SI4936BDY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.051 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 6.90 A

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SI4936BDY-T1-GE3
型号: SI4936BDY-T1-GE3
描述:VISHAY  SI4936BDY-T1-GE3  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 30V, 6.9A

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台