SQ2301ES-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SQ2301ES-T1-GE3概述

VISHAY SQ2301ES-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.9 A, -20 V, 0.08 ohm, -4.5 V, -450 mV

The is a 20VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.

SQ2301ES-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.08 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 3 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-236

外形尺寸

长度 3.04 mm

宽度 1.4 mm

高度 1.02 mm

封装 TO-236

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

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型号： SQ2301ES-T1-GE3

描述：VISHAY SQ2301ES-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.9 A, -20 V, 0.08 ohm, -4.5 V, -450 mV