INFINEON SPD30P06P G 晶体管, MOSFET, P沟道, -30 A, -60 V, 0.069 ohm, -10 V, -3 V
Summary of Features:
欧时:
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表) · 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
立创商城:
P沟道 60V 30A
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin TO-252 T/R
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Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
儒卓力:
**P-CH 60V 30A 75mOhm TO252-3 **
DeviceMart:
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
Win Source:
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
针脚数 3
漏源极电阻 0.069 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 125 W
漏源极电压Vds 60 V
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 1535pF @25VVds
额定功率Max 125 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.41 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Onboard charger
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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