SPD30P06P G

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SPD30P06P G概述

INFINEON  SPD30P06P G  晶体管, MOSFET, P沟道, -30 A, -60 V, 0.069 ohm, -10 V, -3 V

Summary of Features:

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Enhancement mode
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Avalanche rated
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Pb-free lead plating; RoHS compliant 
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Small Signal packages approved to AEC Q101

欧时:
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表) · 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
P沟道 60V 30A


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 30A 3-Pin TO-252 T/R


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Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


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**P-CH 60V 30A 75mOhm TO252-3 **


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MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3


Win Source:
MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3


SPD30P06P G中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.069 Ω

极性 P-Channel

耗散功率 125 W

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 1535pF @25VVds

额定功率Max 125 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SPD30P06P G
型号: SPD30P06P G
描述:INFINEON  SPD30P06P G  晶体管, MOSFET, P沟道, -30 A, -60 V, 0.069 ohm, -10 V, -3 V
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