SQM120N10-3M8-GE3

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SQM120N10-3M8-GE3概述

VISHAY  SQM120N10-3M8-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.003 ohm, 10 V, 3 V

The is a 100V N-channel TrenchFET® Power MOSFET with low thermal resistance.

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Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
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AEC-Q101 qualified
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100% Rg Tested
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100% UIS Tested
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800V ESD protection
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175°C Operating temperature
SQM120N10-3M8-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.003 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 375 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 110 ns

下降时间 12 ns

工作温度Max 175 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 车用, Automotive

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SQM120N10-3M8-GE3
型号: SQM120N10-3M8-GE3
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:VISHAY  SQM120N10-3M8-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 100 V, 0.003 ohm, 10 V, 3 V

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