SQJ980AEP-T1-GE3

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SQJ980AEP-T1-GE3概述

VISHAY  SQJ980AEP-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 17 A, 75 V, 0.041 ohm, 10 V, 2 V

The is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package.

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Halogen-free
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TrenchFET® power MOSFET
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100% Rg and UIS tested

e络盟:
VISHAY  SQJ980AEP-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 17 A, 75 V, 0.041 ohm, 10 V, 2 V


SQJ980AEP-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.041 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 34 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 75 V

工作温度Max 175 ℃

封装参数

引脚数 8

封装 PowerPAK SO

外形尺寸

封装 PowerPAK SO

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SQJ980AEP-T1-GE3
型号: SQJ980AEP-T1-GE3
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:VISHAY  SQJ980AEP-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 17 A, 75 V, 0.041 ohm, 10 V, 2 V

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