SD1536-03

SD1536-03中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 292000 mW

输出功率 90.0 W

增益 8.4 dB

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 292000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 M-115

外形尺寸

高度 3.43 mm

封装 M-115

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SD1536-03
型号: SD1536-03
描述:NPN 90W 65V 1025 to 1150MHz Through Hole RF Microwave Transistor - M-115

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