SPB20N60S5参数规格_中文资料_数据手册PDF

SPB20N60S5概述

INFINEON SPB20N60S5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 4.5 V

The is a 600V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate current. It is suitable for general purpose applications.

.: New revolutionary high voltage technology

.: Extreme dV/dt rated

.: Ultra low effective capacitance

.: Qualified according to JEDEC for target applications

.: Improved transconductance

.: Innovative high voltage technology

.: Worldwide best RDS ON

.: Periodic avalanche rated

SPB20N60S5中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 20.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.16 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 208 W

阈值电压 4.5 V

输入电容 3.00 nF

栅电荷 103 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 3000pF @25VVds

额定功率Max 208 W

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 电源管理, Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SPB20N60S5

型号： SPB20N60S5

制造商： Infineon 英飞凌

描述：INFINEON SPB20N60S5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 4.5 V

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