Infineon CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列
立创商城:
SPP20N60S5
得捷:
MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3
欧时:
Infineon CoolMOS S5 系列 N沟道 MOSFET SPP20N60S5, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 20A TO220-3 CoolMOS S5
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin TO-220 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220
Newark:
Power MOSFET, N Channel, 20 A, 600 V, 190 mohm, 10 V, 4.5 V
儒卓力:
**CoolMOS 600V 20A 190mOhm TO220 **
力源芯城:
600V,20A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 20A TO-220AB
额定电压DC 650 V
额定电流 20.0 A
额定功率 208 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 190 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 208 W
阈值电压 4.5 V
输入电容 3.00 nF
栅电荷 103 nC
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 3000pF @25VVds
额定功率Max 208 W
下降时间 30 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 150 ℃
耗散功率Max 208W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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