SPP20N60S5

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SPP20N60S5概述

Infineon CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列


立创商城:
SPP20N60S5


得捷:
MOSFET N-CH 650V 20A TO220-3


欧时:
Infineon CoolMOS S5 系列 N沟道 MOSFET SPP20N60S5, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 20A TO220-3 CoolMOS S5


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin TO-220 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-220


Newark:
Power MOSFET, N Channel, 20 A, 600 V, 190 mohm, 10 V, 4.5 V


儒卓力:
**CoolMOS 600V 20A 190mOhm TO220 **


力源芯城:
600V,20A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 20A TO-220AB


SPP20N60S5中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 20.0 A

额定功率 208 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 190 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 208 W

阈值电压 4.5 V

输入电容 3.00 nF

栅电荷 103 nC

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 3000pF @25VVds

额定功率Max 208 W

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 150 ℃

耗散功率Max 208W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

SPP20N60S5引脚图与封装图
SPP20N60S5引脚图
SPP20N60S5封装图
SPP20N60S5封装焊盘图
在线购买SPP20N60S5
型号: SPP20N60S5
描述:Infineon CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列 ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
替代型号SPP20N60S5
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SPP20N60S5

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当前型号

当前型号

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