SPW20N60S5

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SPW20N60S5概述

INFINEON  SPW20N60S5.  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 4.5 V

CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


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SPW20N60S5


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Infineon CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin TO-247 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3


Newark:
Power MOSFET, N Channel, 20 A, 600 V, 190 mohm, 10 V, 4.5 V


儒卓力:
**CoolMOS 600V 20A 190mOhm TO247 **


力源芯城:
600V,20A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247


SPW20N60S5中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 20.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.19 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 208 W

阈值电压 4.5 V

输入电容 3.00 nF

栅电荷 103 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 20.0 A

上升时间 25 ns

输入电容Ciss 3000pF @25VVds

额定功率Max 208 W

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温Max 150 ℃

耗散功率Max 208 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.9 mm

宽度 5.3 mm

高度 20.95 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Design

包装方式 Tube

制造应用 电源管理, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

SPW20N60S5引脚图与封装图
SPW20N60S5引脚图
SPW20N60S5封装图
SPW20N60S5封装焊盘图
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型号: SPW20N60S5
描述:INFINEON  SPW20N60S5.  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 4.5 V
替代型号SPW20N60S5
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