SPB04N60C3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SPB04N60C3概述

INFINEON SPB04N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET

得捷:
N-CHANNEL POWER MOSFET

立创商城:
N沟道 600V 4.5A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin TO-263 T/R

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Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin2+Tab TO-263

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Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

力源芯城:
600V,4.5A,N沟道功率MOSFET

Win Source:
MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK

DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK

SPB04N60C3中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 650 V

额定电流 4.50 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.85 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 50 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

上升时间 2.5 ns

输入电容Ciss 490pF @25VVds

额定功率Max 50 W

下降时间 9.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

SPB04N60C3引脚图与封装图

在线购买SPB04N60C3

型号： SPB04N60C3

制造商： Infineon 英飞凌

描述：INFINEON SPB04N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V

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