Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
### MOSFET ，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
得捷:
SPB07N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE
立创商城:
N沟道 600V 7.3A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin2+Tab D2PAK
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin TO-263 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin2+Tab TO-263
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7.3A; 83W; PG-TO263-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.3A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
力源芯城:
600V,7.3A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 7.3A D2PAK
额定电压DC 650 V
额定电流 7.30 A
额定功率 83 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.54 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 83 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 7.30 A
上升时间 3.5 ns
输入电容Ciss 790pF @25VVds
额定功率Max 83 W
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 83W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.31 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.572 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
SPB07N60C3 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
STD8NM60N-1 意法半导体 | 功能相似 | SPB07N60C3和STD8NM60N-1的区别 |
R6007KNJTL 罗姆半导体 | 功能相似 | SPB07N60C3和R6007KNJTL的区别 |
SIHP7N60E-GE3 Vishay Siliconix | 功能相似 | SPB07N60C3和SIHP7N60E-GE3的区别 |