SPA16N50C3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SPA16N50C3概述

INFINEON SPA16N50C3 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 560 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C3 功率 MOSFET

得捷:
SPA16N50 - 500V COOLMOS N-CHANNE

立创商城:
N沟道 560V 16A

安富利:
Trans MOSFET N-CH 560V 16A 3-Pin TO-220FP Tube

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 560V 16A 3-Pin3+Tab TO-220FP

力源芯城:
500V,16A,N沟道功率MOSFET

Win Source:
MOSFET N-CH 560V 16A TO220FP

SPA16N50C3中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 560 V

额定电流 16.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.25 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 160 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 560 V

连续漏极电流Ids 16.0 A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 1600pF @25VVds

额定功率Max 34 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 34W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 15.95 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买SPA16N50C3

型号： SPA16N50C3

制造商： Infineon 英飞凌

描述：INFINEON SPA16N50C3 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 560 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V

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