SQM50P03-07-GE3概述
VISHAY SQM50P03-07-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -2 V
The is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
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- 100% Rg tested
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- 100% UIS tested
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- AEC-Q101 qualified
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- Package with low thermal resistance
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- Halogen-free
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- -55 to 175°C Operating temperature range
SQM50P03-07-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.005 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 150 W
上升时间 10 ns
下降时间 26 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263
外形尺寸
长度 10.41 mm
宽度 9.652 mm
高度 4.826 mm
封装 TO-263
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 车用, Automotive, Power Management
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
在线购买SQM50P03-07-GE3
型号： SQM50P03-07-GE3
制造商：
Vishay Semiconductor
威世
描述：VISHAY SQM50P03-07-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -2 V