SSM6N17FUTE85L,F

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SSM6N17FUTE85L,F概述

TOSHIBA  SSM6N17FUTE85L,F  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 50 V, 20 ohm, 4 V, 1.5 V

MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 50V 100mA(Ta) 200mW(Ta) 表面贴装型 US6


得捷:
X34 SMALL LOW RON DUAL NCH MOSFE


e络盟:
TOSHIBA  SSM6N17FUTE85L,F  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 50 V, 20 ohm, 4 V, 1.5 V


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 50V 0.1A 6-Pin US T/R


Newark:
# TOSHIBA  SSM6N17FUTE85L,F  MOSFET Transistor, N Channel, 100 mA, 50 V, 20 ohm, 4 V, 1.5 V


SSM6N17FUTE85L,F中文资料参数规格
技术参数

针脚数 6

漏源极电阻 20 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 200 mW

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 50 V

连续漏极电流Ids 100 mA

输入电容Ciss 7pF @3VVds

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 US-6

外形尺寸

封装 US-6

物理参数

工作温度 150 ℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

SSM6N17FUTE85L,F引脚图与封装图
SSM6N17FUTE85L,F引脚图
SSM6N17FUTE85L,F封装图
SSM6N17FUTE85L,F封装焊盘图
在线购买SSM6N17FUTE85L,F
型号: SSM6N17FUTE85L,F
制造商: Toshiba 东芝
描述:TOSHIBA  SSM6N17FUTE85L,F  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 50 V, 20 ohm, 4 V, 1.5 V

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