SQD50N04-4M5L-GE3

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SQD50N04-4M5L-GE3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.003 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 136 W

阈值电压 1.5 V

漏源极电压Vds 40 V

输入电容Ciss 4880pF @25VVds

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 136 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SQD50N04-4M5L-GE3
型号: SQD50N04-4M5L-GE3
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:N 通道 MOSFET,SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor

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