SKM200GB12E4

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SKM200GB12E4概述

SEMIKRON  SKM200GB12E4  晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 313 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module

双 IGBT 模块

SEMITOP® IGBT 模块包含两个串联(半桥)IGBT 设备。该模块提供各种电压和电流额定值,且适用于各种功率切换应用,如交流变频电动机驱动器和不间断电源。

紧凑型 SEMITOP® 封装

适用于高达 12kHz 的切换频率

绝缘铜基板使用直接粘结技术


欧时:
IGBT Module Half-Bridge 314A 1200V


e络盟:
晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 313 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module


艾睿:
Trans IGBT Module N-CH 1200V 314A 7-Pin


Newark:
IGBT Array & Module Transistor, Dual N Channel, 313 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module


SKM200GB12E4中文资料参数规格
技术参数

针脚数 7

极性 Dual N-Channel

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

引脚数 7

封装 Semitrans3

外形尺寸

长度 106.4 mm

宽度 61.4 mm

高度 30 mm

封装 Semitrans3

其他

产品生命周期 Active

制造应用 Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买SKM200GB12E4
型号: SKM200GB12E4
制造商: Semikron 赛米控
描述:SEMIKRON  SKM200GB12E4  晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 313 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module
替代型号SKM200GB12E4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SKM200GB12E4

Semikron 赛米控

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SKM150GB12T4

赛米控

完全替代

SKM200GB12E4和SKM150GB12T4的区别

SKM100GB12T4

赛米控

完全替代

SKM200GB12E4和SKM100GB12T4的区别

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