STH15810-2

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STH15810-2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 250 W

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 57 ns

输入电容Ciss 8115pF @50VVds

下降时间 33 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 H2PAK

外形尺寸

封装 H2PAK

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STH15810-2
型号: STH15810-2
描述:单 N-沟道 100 V 0.0039 Ohm 117 nC 250 W 硅 表面贴装 Mosfet - TO-263-3

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