INFINEON SPB20N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
CoolMOS™C3 功率 MOSFET
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
立创商城:
N沟道 650V 20.7A
得捷:
MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK
欧时:
Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin2+Tab TO-263
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 20.7A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
儒卓力:
**N-CH 600V 20A 190mOhm TO263-3 **
力源芯城:
600V,20.7A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK
额定电压DC 650 V
额定电流 20.7 A
额定功率 208 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 190 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 208 W
阈值电压 3 V
输入电容 4.50 nF
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 20.7 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 2400pF @25VVds
额定功率Max 208 W
下降时间 4.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 150 ℃
耗散功率Max 208W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.31 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.57 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
SPB20N60C3 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SPW20N60C3 英飞凌 | 类似代替 | SPB20N60C3和SPW20N60C3的区别 |
SPU02N60C3 英飞凌 | 类似代替 | SPB20N60C3和SPU02N60C3的区别 |
SPW11N60C3 英飞凌 | 类似代替 | SPB20N60C3和SPW11N60C3的区别 |